Олена Іванівна Рогачова — міжнародно визнаний вчений в галузі фізики твердого тіла та напівпровідникового матеріалознавства. Народилася 21 жовтня 1937 р. у Харкові. Закінчила з медаллю школу та з відзнакою інженерно-фізичний факультет Харківського політехнічного інституту за спеціальністю «Фізика металів». З 1960 р. працювала у НДІ основної хімії, а з 1967 р. дотепер — у Національному технічному університеті «Харківський політехнічний інститут». Пройшла шлях від асистента до професора кафедри теоретичної та експериментальної фізики (з 1992). Основні напрями досліджень: фізика напівпровідникових фаз змінного складу, розмірні ефекти у наноструктурах, термоелектричне (ТЕ) матеріалознавство. Під керівництвом Олени Іванівни проведено дослідження кристалічної структури і фізичних властивостей багатьох напівпровідникових твердих розчинів в залежності від складу і температури, механізмів дефектоутворення, побудовано діаграми стану, визначено склади розчинів з максимальними значеннями ТЕ ефективності. Вперше в твердих розчинах спостережено концентраційні аномалії властивостей в області малого вмісту домішки і висловлено припущення про універсальний характер цього явища. Створено фізичні основи легування нестехіометричних фаз, розроблено метод «контрольованих атомних дефектів», виявлено специфіку сильно нестехіометричних фаз, пов’язану з процесами самоорганізації дефектів, і запропоновано принципово новий підхід до опису їх зонної структури. З кінця 1990-х рр. у науковій школі проф. О.І. Рогачової стали інтенсивно вивчатися тонкоплівкові наноструктури з метою розробки методів підвищення ТЕ ефективності матеріалів шляхом використання квантових розмірних ефектів, а в останні роки — найновіші об’єкти фізики твердого тіла — топологічні ізолятори, — ?і вже виявлені нові фізичні явища. Професор О.І. Рогачова — ?керівник лабораторії з фізики напівпровідників і термоелектрики. Підготувала 11 кандидатів наук. Автор, співавтор 2 монографій, понад 270 наукових статей, чимало з яких опубліковані у відомих міжнародних журналах. Нею зроблено близько 300 доповідей на конференціях, включаючи конференції в Японії, Австралії, Бразилії, США, Південній Кореї, Китаї та багатьох європейських країнах. Під керівництвом Олени Іванівни виконано 10 госпдоговірних, 12 держбюджетних тем, одержано 3 гранти Державного фонду фундаментальних досліджень України спільно з Національним Науковим Фондом США та 5 грантів за міжнародними проектами. Спільно з вченими Массачусетського технологічного інституту розробляються фізичні основи створення наноматеріалів для ТЕ перетворювачів енергії. Входить до спеціалізованої вченої ради із захисту дисертацій за спеціальністю «Фізика напівпровідників та діелектриків», секції з напівпровідникового матеріалознавства Наукової Ради НАН України, редколегії журналу Journal of Thermoelectricity. Серед здобутків — орден княгині Ольги III ступеня, медаль «За наукові дослідження» МОН України, премія Міжнародної науково-освітньої програми, премія «Інтелект Харкова» ім. Л.С. Палатніка в галузі фізики, почесні грамоти Міжнародної ТЕ академії за видатні досягнення в галузі ТЕ матеріалознавства, обласна стипендія в галузі фізики та астрономії ім. К.Д. Синельникова. За значний внесок у розвиток міжнародного співробітництва між Україною та США відзначена пам’ятною медаллю Фонду CRDF та почесною грамотою МОН України.
Olena I. ROGACHOVA
DSc (Physics and Mathematics), Prof., Academician of the International Thermoelectric Academy.

Professor of Theoretical and Experimental Phy­sics Department, the National Technical University «Kharkiv Polytechnic Institute». Fields of research: physics of the semiconductor phases of variable composition, size effects in nanostructures, the thermoelectric materials science.